| 发明名称 | 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明有关一种PECVD沉积a－SiNx:H膜的方法，当一系列的TFT元件在一表面积大于约1平方米(其可以是约4.1平方米，甚至是大到9平方米)的基材上被排成阵列时，该膜在该TFT元件上是很有用的，其可作为栅极介电层及钝态层。该等a－SiNx:H膜提供均一的膜厚度及膜性质(包括化学组成在内的性质)，这在这些大表面积基材上是必需的。由此方法所制造的膜对于液晶主动矩阵显示器及有机发光二极管控制两者而言是很有用的。 | ||
| 申请公布号 | CN1700428A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200510066834.3 | 申请日期 | 2005.04.20 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 崔寿永;元泰景;古田贺久;王群华;约翰·M·怀特;朴范秀 |
| 分类号 | H01L21/318;C23C16/34 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种以PECVD沉积一a-SiNx:H介电薄膜的方法，当一系列的TFT元件在一表面积大于1平方米的基材上被排成阵列时，该a-SiNx:H介电薄膜可用作该TFT元件的栅极介电质，该方法至少包含：在基材温度范围介于120℃至340℃下，沉积该a-SiNx:H介电薄膜于一基材上；在介于1托至2.0托间的工艺压力范围内沉积该a-SiNx:H介电薄膜；从包括N2、NH3及SiH4的前驱物中沉积该a-SiNx:H介电薄膜，其中NH3/SiH4的成分比例范围介于5.3至10.0之间，N2/SiH4的成分比例范围在5.5至18.7之间及N2/NH3的成分比例范围在0.6至约2.3之间；及施加一等离子体至由该等前驱物组成的一混合物上，使得在一沉积该a-SiNx:H介电薄膜的处理室内的等离子体密度介于0.2W/cm2至0.6W/cm2之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||