| 发明名称 | 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1701415A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200480000799.9 | 申请日期 | 2004.05.24 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中畑成二 |
| 分类号 | H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种用于第III族氮化物晶体的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：将第III族氮化物晶体薄膜生长到衬底上；将金属薄膜沉积到所述第III族氮化物晶体薄膜上；通过热处理在其上面生长了所述第III族氮化物晶体薄膜和沉积了所述金属薄膜的衬底，不仅在所述金属薄膜中产生细孔，而且在所述第III族氮化物晶体薄膜中形成孔隙部分；在氧浓度为0.1摩尔％或更低的气氛中，将用于填充的第III族氮化物晶体生长到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶体薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶体薄膜中的孔隙部分；和在氧浓度为0.1摩尔％或更低的气氛中，将第III族氮化物晶体生长到所述金属薄膜上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||