发明名称 |
用于产生可变参考电平的读出放大器及方法 |
摘要 |
在产生可变化参考电平的读出放大器和方法中,读出放大器依据工作电压的变化而改变参考电压电平。这确保在半导体存储器设备中无论工作电压的如何变化,检测数据需要的接通单元和关闭单元边缘被保持为足够的。从而避免了由于不足的电压检测边缘而产生的读取错误。 |
申请公布号 |
CN1700354A |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN200510071711.9 |
申请日期 |
2005.03.10 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
崔丁云;金相元;金洪奭 |
分类号 |
G11C11/4091;G11C11/419;G11C7/06;G11C16/26 |
主分类号 |
G11C11/4091 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1.一种半导体存储器设备的读出放大器,包括:参考单元电平控制部件,其依据半导体存储器设备的电源电压的变化改变用作识别数据的参考单元电平,确保足够的接通单元和关闭单元边缘,以便识别数据,而不受电源电压的变化的影响;核心单元电平检测器,其检测半导体存储器设备的核心单元电平;和比较器,其通过将核心单元电平与参考单元电平比较来识别存储在核心单元中的数据。 |
地址 |
韩国京畿道 |