发明名称 Nonvolatile semiconductor memory that eases the dielectric strength requirements
摘要
申请公布号 EP0616368(B1) 申请公布日期 2005.11.23
申请号 EP19940101039 申请日期 1994.01.25
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 KAWAMURA, SHOUICHI;TAKASHINA, NOBUAKI;KASA, YASUSHI;ITANO, KIYOSHI
分类号 H01L21/8247;G11C16/04;G11C16/14;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;G11C16/06 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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