发明名称 | 晶片分割方法 | ||
摘要 | 一种将具有形成在前表面上的多个第一分界线和与所述第一分界线交叉的多个第二分界线的晶片沿上述第一分界线和第二分界线进行分割的方法,所述方法包括:通过沿第一分界线和第二分界线施加脉冲激光束,沿第一分界线和第二分界线在晶片内部形成损坏层的内部损坏层形成步骤;交叉损坏层形成步骤,即通过将脉冲激光束施加在第一分界线和第二分界线之间的交叉区域内,用于形成厚度比在所述内部损坏层形成步骤所形成的损坏层厚度还厚的损坏层;通过沿第一分界线和第二分界线将外力施加到晶片上,而将晶片分割成单个芯片的分割步骤。 | ||
申请公布号 | CN1700444A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
申请号 | CN200510071336.8 | 申请日期 | 2005.05.18 |
申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 永井裕介;立石俊幸;长泽唯人 |
分类号 | H01L21/78;H01L21/301 | 主分类号 | H01L21/78 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王琼 |
主权项 | 1.一种沿第一分界线和第二分界线分割晶片的方法,该晶片具有形成在前表面上的由多个彼此平行第一分界线和多个彼此平行第二分界线所划分成区域内的功能件,所述第二分界线与所述第一分界线交叉,所述方法包括:内部损坏层形成步骤,通过沿第一分界线和第二分界线施加能够穿透晶片的脉冲激光束,沿第一分界线和第二分界线在晶片内部形成损坏层;交叉损坏层形成步骤,通过将能够穿透晶片的脉冲激光束施加在形成在第一分界线和第二分界线之间的交叉区域内,用于形成厚度比在所述内部损坏层形成步骤所形成的损坏层厚度还厚的损坏层;分割步骤,通过沿第一分界线和第二分界线将外力施加到具有沿所述第一分界线和第二分界线形成的损坏层的晶片上,将晶片分割成单个芯片。 | ||
地址 | 日本东京 |