发明名称 | 半导体制造系统 | ||
摘要 | 本发明实现一种半导体制造系统,能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后,而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前,利用CIM3,构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。 | ||
申请公布号 | CN1228813C | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
申请号 | CN02154758.0 | 申请日期 | 2002.08.30 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 上村昌己;中尾隆 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1、一种半导体制造系统,其特征是具备:成膜装置,包括:用于收容衬底并在该衬底上形成膜的成膜室和加热上述衬底的加热装置;温度控制装置,包括:用于检测上述成膜室的内部和外部至少一方温度的温度检测装置和根据该温度检测装置检测的温度,控制上述加热装置使其以规定温度加热上述衬底的控制装置本体;以及时间决定装置,用于决定成膜开始及成膜结束的时间,使在上述加热装置加热上述衬底以后且在上述温度检测装置检出的温度实质上成为一定之前就可进行上述膜的成膜。 | ||
地址 | 日本东京都 |