| 主权项 |
1.一种高功率发光二极体晶片,系包含:基板,该基板上系设有磊晶层;P层布拉格反射镜(DBR),该P层布拉格反射镜(DBR)设于磊晶层内部,以提升发光效率;介电层,系全部设于P层布拉格反射镜(DBR)的欧姆接触层上成长,且该介电层系挖成一沟渠;电极,系设于介电层中所挖成之沟渠处;以及氧化物布拉格反射镜(DBR),系设于介电层所挖成之沟渠位置,并与P层布拉格反射镜(DBR)连接;藉此,双重共振以提高发光效率,使发光角变窄及具滤波之功效者。2.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体晶片,其中该磊晶层由下而上依序设有N层布拉格反射镜(DBR)、多层量子井(MQW)及P层布拉格反射镜(DBR)者。3.如申请专利范围第2项所述之高功率发光二极体晶片,其中该磊晶层内的N层布拉格反射镜(DBR)及P层布拉格反射镜(DBR)系为对数层者。4.如申请专利范围第2项所述之高功率发光二极体晶片,其中该磊晶层内的N层布拉格反射镜(DBR)及P层布拉格反射镜(DBR)系为元素周期表Ⅲ族及V族元素所组成之化合物者。5.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体晶片,其中该P层布拉格反射镜(DBR)系为发光层者。6.如申请专利范围第2项所述之高功率发光二极体晶片,其中该N层布拉格反射镜(DBR)系为折射层者。7.如申请专利范围第2项所述之高功率发光二极体晶片,其中该N层布拉格反射镜(DBR)及P层布拉格反射镜(DBR)系为对数的砷化铝镓/砷化铝(AlGaAs/AlAs)结构者。8.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体晶片,其中该氧化物布拉格反射镜(DBR)系选自SiO2、Si3N4、TiO2、HfO2、BaF2、Ta2O5所搭配组成之氧化物者9.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体晶片,其中该氧化物布拉格反射镜(DBR)系为对数的二氧化矽/氮化矽之交替薄膜者。10.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体晶片,其中该氧化物布拉格反射镜(DBR)系在P层布拉格反射镜(DBR)的欧姆接触层上成长者。图式简单说明:第1图系为习用高功率发光二极体晶片之剖面示意图。第2图系为本创作实施例之立体外观图。第3图系为本创作实施例之立体分解图。第4图系为本创作实施例之剖面示意图。 |
