| 主权项 |
1.一种微奈米结构转印装置,其系包括有:一基板,一可成形材料层,一微奈米结构模具,其系相对应该基板设置,以加压该可成形材料层,进行微奈米结构转印,一电磁波源,提供该可成形材料层流动性增加所需的热能;以及其中基板及可成形材料层至少一者为可吸收电磁波源能量之材料。2.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该微奈米结构模具加压该可成形材料层系可为相对直线运动加压。3.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该微奈米结构模具加压该可成形材料层系可为相对旋转运动加压。4.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该微结构模具之特征微结构尺寸在100微米以下。5.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该可吸收电磁波源能量材料之成分可选自高分子材料、金属材料、半导体材料、陶瓷材料,与含有吸收电磁波物质的混合材料。6.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该电磁波源所供给的频率在300KHz至300GHz的范围之间。7.一种微奈米结构转印装置,其系包括有:一基板,一可成形材料层,一微奈米结构模具,其系相对应该基板设置,以加压该可成形材料层,进行微奈米结构转印,一电磁波介质层,其系装置于基板与微奈米结构模具之间,并至少可吸收一部份的电磁波能量并转换成热能,以及一电磁波源,提供该可成形材料层流动性增加所需的热能。8.如申请专利范围第7项所述之微奈米结构转印装置,其中该微奈米结构模具加压该可成形材料层系可为相对直线运动加压。9.如申请专利范围第7项所述之微奈米结构转印装置,其中该微奈米结构模具加压该可成形材料层系可为相对旋转运动加压。10.如申请专利范围第7项所述之微奈米结构转印装置,其中该微奈米结构模具之特征微结构尺寸在100微米以下。11.如申请专利范围第7项所述之微奈米结构转印装置,其中该可成形材料层之成分可选自高分子材料、金属材料、半导体材料、陶瓷材料,与含有吸收电磁波物质的混合材料。12.如申请专利范围第7项所述之微奈米结构转印装置,其中该电磁波介质层可为至少一层之介质层。13.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该电磁波介质层之成分可选自高分子材料、金属材料、半导体材料、陶瓷材料与含有吸收电磁波物质的混合材料。14.如申请专利范围第1项所述之微奈米结构转印装置,其中该电磁波源所供给的频率在300KHz至300GHz的范围之间。15.一种微奈米结构转印方法,其步骤系包括有:提供一电磁波、一微奈米结构模具及一基板,该基板上具有一可成形材料层;该可成形材料层及该基板其中至少一者可吸收至少一部份之该电磁波并转换为该可成形材料层流动性增加所需之热能;微奈米结构模具加压该可成形材料层进行结构转印。16.如申请专利范围第15项所述之微奈米结构转印方法,其中所述之加压该可成形材料层进行图案转移,系可为相对直线运动加压。17.如申请专利范围第15项所述之微奈米结构转印方法,其中所述之加压该可成形材料层进行图案转移,系可为相对旋转运动加压。18.如申请专利范围第15项所述之微奈米结构转印方法,其中该微结构模具之特征微结构尺寸在100微米以下。19.如申请专利范围第15项所述之微奈米结构转印方法,其中该成形材料层之成分可选自高分子材料、金属材料、半导体材料、陶瓷材料与含有吸收电磁波物质的混合材料。20.如申请专利范围第15项所述之微奈米结构转印方法,其中该电磁波源所供给的频率在300KHz至300GHz的范围之间。21.一种微奈米结构转印方法,其步骤系包括有:提供一电磁波、一微奈米结构模具、一电磁波介质层及一基板,该基板上具有一可成形材料层;该电磁波介质层可吸收至少一部份之该电磁波并转换成热能,以增加该可成形材料层流动性;微奈米结构模具加压该可成形材料层进行结构转印。22.如申请专利范围第21项所述之微奈米结构转印方法,其中所述之加压该可成形材料层进行图案转移,系可为相对直线运动加压。23.如申请专利范围第21项所述之微奈米结构转印方法,其中所述之加压该可成形材料层进行图案转移,系可为相对旋转运动加压。24.如申请专利范围第21项所述之微奈米结构转印方法,其中该微结构模具之特征微结构尺寸在100微米以下。25.如申请专利范围第21项所述之微奈米结构转印方法,其中该成形材料层之成分可选自高分子材料、金属材料、半导体材料、陶瓷材料与含有吸收电磁波物质的混合材料。26.如申请专利范围第21项所述之微奈米结构转印方法,其中该电磁波源所供给的频率在300KHz至300GHz的范围之间。图式简单说明:图一 系为习用之微结构转印加热装置之电热管示意图。图二 系为习用之微结构转印加热装置之电热盘示意图。图三 系为本发明之一种微奈米结构转印装置之第一较佳实施例示意图。图四 系为本发明之一种微奈米结构转印装置之第二较佳实施例示意图之一。图五 系为本发明之一种微奈米结构转印装置之第二较佳实施例示意图之二。图六 系为本发明之一种微奈米结构转印装置之第三较佳实施例示意图。图七 系为本发明之一种微奈米结构转印装置之第四较佳实施例示意图。图八 系为本发明之一种微奈米结构转印方法之较佳实施流程示意图。 |
