发明名称 积层陶瓷电容器及其形成方法
摘要 一种积层陶瓷电容器的形成方法,包括步骤:提供电容陶瓷体,包含复数层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层之表面形成之复数层内部电极;形成外部电极于电容陶瓷体外,并电性连接于部分之内部电极;覆盖导电层于外部电极;其中,内部电极与外部电极系包含卑金属,导电层系包含贵金属。
申请公布号 TWI244100 申请公布日期 2005.11.21
申请号 TW094100783 申请日期 2005.01.11
申请人 达方电子股份有限公司 发明人 黄弘毅;蔡旻宪
分类号 H01G4/30 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 1.一种积层陶瓷电容器的形成方法,包括步骤:提供一电容陶瓷体,包含复数层介电陶瓷层以及沿着该些介电陶瓷层之表面形成之复数层内部电极;形成一外部电极于该电容陶瓷体外,并电性连接于部分之该些内部电极;以及覆盖一导电层于该外部电极;其中,该些内部电极与该外部电极系包含一卑金属,该导电层系包含一贵金属。2.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该形成一外部电极于该电容陶瓷体外之步骤包括:沾附含有该卑金属之一导电材料于该电容陶瓷体;以及烘烤固化该导电材料以形成一外部电极。3.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该卑金属系包含铜(Copper, Cu)。4.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该卑金属系包含镍(nickel, Ni)。5.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该外部电极系包含铜铍合金(Copper Beryllium Alloy, CBA)。6.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该形成一外部电极于该电容陶瓷体外之步骤之后更包括:电镀一阻障层(barrier layer)于该外部电极上。7.如申请专利范围第6项所述之形成方法,其中该阻障层系包含镍。8.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该覆盖一导电层于该外部电极之步骤更包括:沾附(Dipping)一导电材料;以及烘烤固化(Curing)该导电材料以覆盖一导电层于该外部电极。9.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中当该导电材料系一树脂型银胶时,该烘烤固化之步骤系以实质上低于250℃之温度进行。10.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中当该导电材料系一玻璃型银胶,且该玻璃型银胶包含银、压克力树脂与玻璃时,该烘烤固化之步骤系氮气环境下并以高于550℃之温度烘烤。11.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中当该导电材料系一玻璃型银胶,且该玻璃型银胶至少包括银、乙醯纤维素与玻璃时,该烘烤固化之步骤更包括:于纯氮气环境下加热烘烤该玻璃型银胶;于400℃加入氧气;以及于纯氮气环境下,将该玻璃型导电材料加热至550℃以上,藉此固化该玻璃型导电材料以形成该导电层。12.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该覆盖一导电层于该外部电极之步骤之后更包括:以细陶瓷粉末混合该积层陶瓷电容器,并进行震荡抛光;以及将该导电层打磨抛光(polish)。13.一种积层陶瓷电容器,包括:一电容陶瓷体,包含复数层介电陶瓷层以及沿着该些介电陶瓷层之表面形成之复数层内部电极;及一外部电极,系形成于电容陶瓷体外,并与部分之该些内部电极电性连接;一导电层,系覆盖该外部电极;其中,该些内部电极与该外部电极系包含一卑金属,该导电层系包含一贵金属。14.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该积层陶瓷电容器更包括一阻障层(barrierlayer),系位于该外部电极与该导电层之间。15.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该阻障层系包含镍。16.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该卑金属包含铜。17.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该卑金属包含镍。18.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该外部电极系包含铜铍合金(Copper BerylliumAlloy, CBA)。19.如申请专利范围第13项所述之积层陶瓷电容器,其中该贵金属系包含银。图式简单说明:第1图绘示传统积层陶瓷电容器焊接于小型基板上之侧视图。第2图绘示依照本发明一较佳实施例的积层陶瓷电容器之结构之剖面图。第3图绘示依照本发明之一较佳实施例之积层陶瓷电容器之形成方法之流程图。
地址 桃园县龟山乡枫树村1邻6号