| 主权项 |
1.一种形成异方性导电膜层的方法,包括:(A)提供一具有复数个微孔洞之奈米模板;(B)形成至少一金属导电膜层于该奈米模板之表面,且分别成长复数个金属奈米线于该等微孔洞中;(C)除去该奈米模板;(D)形成至少一磁性披覆层于每一该等金属奈米线之表面;(E)施加一磁场于该等金属奈米线及该金属导电膜层,且形成一固定层于该金属导电膜层之表面及该等金属奈米线之间;以及(F)选择性地移除该金属导电膜层,形成一异方性导电膜层。2.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该方法于步骤(F)之后,更包括一步骤(G)形成复数个电极于该异方性导电膜层之表面。3.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该奈米模板之材质系为氧化铝。4.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该等金属奈米线之材质系为银。5.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该奈米模板系以一氢氧化钠溶液移除。6.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该磁性披覆层系以电镀法形成。7.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该磁性披覆层之材质系为钴。8.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该固定层系为热固性高分子。9.如申请专利范围第8项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该固定层系为聚亚醯铵或环氧树酯。10.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该固定层系以灌注法形成。11.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该金属导电膜层系以机械研磨方式移除。12.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该等电极系以溅镀法形成。13.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该等电极之间距系介于0.5微米至5微米。14.如申请专利范围第1项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该等电极系为方形或圆形。15.一种异方性导电膜层,包括:一具有一上表面及一下表面之绝缘层;以及复数个排列于该绝缘层之奈米导线;其中,该下表面系相对于该上表面,该等奈米导线系由该上表面穿透该绝缘层至该下表面。16.如申请专利范围第15项所述之异方性导电膜层,其中该异方性导电膜层更包括复数个电极于该上表面。17.如申请专利范围第15项所述之异方性导电膜层,其中该异方性导电膜层更包括复数个电极于该下表面。18.如申请专利范围第15项所述之形成异方性导电膜层的方法,其中该固定层系为热固性高分子。19.如申请专利范围第18项所述之异方性导电膜层,其中该绝缘层之材质系为聚亚醯铵或环氧树酯。20.如申请专利范围第15项所述之异方性导电膜层,其中该等奈米导线之材质系为银。21.如申请专利范围第15项所述之异方性导电膜层,其中该等奈米导线之材质系为具磁性之金属。22.如申请专利范围第21项所述之异方性导电膜层,其中该等奈米导线之材质系为钴。23.如申请专利范围第21项所述之异方性导电膜层,其中每一该等奈米导线之表面更包括一金属披覆层。24.如申请专利范围第23项所述之异方性导电膜层,其中该金属披覆层系为银。25.如申请专利范围第15项所述之异方性导电膜层,其中每一该等奈米导线之表面更包括一磁性披覆层。26.如申请专利范围第25项所述之异方性导电膜层,其中该磁性披覆层系为钴。27.如申请专利范围第18项所述之异方性导电膜层,其中该等电极之间距系介于0.5微米至5微米。28.如申请专利范围第18项所述之异方性导电膜层,其中该等电极系为方形或圆形。图式简单说明:图1A系本发明一较佳实施例之形成异方性导电膜层的方法示意图。图1B系接续图1A所示之本发明一较佳实施例之形成异方性导电膜层的方法之流程示意图。图2系运用本发明一较佳实施例之形成异方性导电膜层的方法所形成之异方性导电膜层的电子显微镜图形。图3系运用本发明一较佳实施例之形成异方性导电膜层方法所形成之异方性导电膜层的示意图,其中复数个电极形成于异方性导电膜层的表面。图4系运用本发明一较佳实施例之形成异方性导电膜层方法所形成之异方性导电膜层应用于覆晶构装的示意图。图5A系运用本发明另一较佳实施例之形成异方性导电膜层方法于灌注固定层前之半成品示意图。图5B系运用本发明另一较佳实施例之形成异方性导电膜层方法所形成之异方性导电膜层的示意图。 |
