以氮氧化合物为矽晶圆制程快速扩散方法

摘要

本发明系有关系于一种以氮氧化合物为矽晶圆制程快速扩散方法，本发明系利用以氮氧化合物加速杂质扩散，而可有效降低制程时效及制造成本，且应用于制作CMO S井结构时能达到更为迅速之功效，且制成的接面深度受到热处理阶段流通的气体所影响，并利用N2O可以获得比传统利用N2制作更深的接面深度，可说是一项相当具有实用性及应用价值之发明。

主权项

1.一种以氮氧化合物为矽晶圆制程之快速扩散方法,包括使用氮氧化合物以气体形式加于高温处理设备,用于驱动杂质之制程,以达到本发明之各项功效。2.如申请专利范围第1项之氮氧化合物为矽晶圆制程之快速扩散方法,其中高温处理设备为高温炉管或快速退火炉管。3.如申请专利范围第1项之氮氧化合物为矽晶圆制程之快速扩散方法,其中氮氧化合物气体是以不同流量来控制杂质之扩散程度。4.如申请专利范围第1项之氮氧化合物为矽晶圆制程之快速扩散配方法,其中所驱动之杂质为硼、砷、磷。图式简单说明:第一图系为有关利用本发明使用N2O作为扩散过程环境气体之示意图;第二图系为有关利用本发明使用N2O、O2、N2作为热扩散环境气体所获得杂质扩散后的分布示意图;第三图系为有关利用本发明有关N2O流量对杂质扩,散的示意图;第四图系为有关利用本发明中矽半导体中使用N2O可能形成氮氧化矽之示意图;第五图系为有关利用本发明使用N2O环境之热处理所得之元件金属有较高可靠度之实验数据示意图;以及第六图系为有关利用本发明使用N2O气体处理并未使漏电流明显恶化之实验数据示意图。