| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备:当作集极区域的一导电型半导体基板;设于前述基板上的逆导电型基极区域;在前述基极区域表面设成格子形的一导电型射极区域;与前述基极区域接触的第1基极电极;与前述射极区域接触的第1射极电极;一个第2基极电极,隔介绝缘膜设于前述第1基极电极及前述第1射极电极上,且与前述第1基极电极连接;以及一个第2射极电极,隔介前述绝缘膜设于前述第1基极电极及前述第1射极电极上,且与前述第1射极电极连接;同时,将前述第2射极电极下方的第1基极电极及第1射极电极并列配置复数个,该复数个第1基极电极系于端部成束地连接于前述第2基极电极,前述第2基极电极系具有突出部,该突出部系分隔前述第2射极电极的一部分,且与前述并列的第1基极电极及第1射极电极正交并延伸。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第2基极电极下方的前述第1射极电极系具有格子形状。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,藉由前述突出部分隔的区域系至少具有可固设连接于前述第2射极电极的连接手段之面积。4.一种半导体装置,系具备:半导体晶片,在半导体基板设置集极区域、基极区域和射极区域,且具有接触于前述基极区域的第1基极电极、接触于前述射极区域的第1射极电极、及隔介绝缘膜而设于前述第1基极电极及第1射极电极上的第2基极电极及第2射极电极;基极端子及射极端子,沿着前述半导体晶片之一边而设置;以及连接手段,分别连接前述基极端子和前述第2基极电极及前述射极端子和第2射极电极;同时,将前述第2射极电极下方的前述第1基极电极及第1射极电极垂直地配置在前述一边,而前述第2基极电极系具有突出部,该突出部系分隔前述第2射极电极的一部分,且并列延伸在前述一边。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述连接手段系固设在沿着前述一边的前述半导体晶片的端部附近。6.如申请专利范围第1项或第4项之半导体装置,其中,藉由前述突出部将前述第2射极电极的一部分分隔成大致均等。7.如申请专利范围第1项或第4项之半导体装置,其中,在前述突出部下方的前述绝缘膜设有与前述第1基极电极接触的接触孔。图式简单说明:第1(A)及(B)图系用以说明本发明的俯视图。第2图系用以说明本发明的(A)俯视图、(B)剖视图、(C)剖视图。第3图系用以说明本发明的俯视图。第4图系用以说明先前技术的(A)俯视图、(B)俯视图、(C)剖视图。第5(A)至(C)图系用以说明先前技术的俯视图。 |
