| 主权项 |
1.一种回收矽晶圆的方法,其包含去膜程序、抛光程序、及清洁程序,其中在去膜程序及抛光程序之间,该方法包含于150-300℃下对矽晶圆加热20分钟至5小时及去除矽晶圆的表面部位之加热/去除程序。2.如申请专利范围第1项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含机械去除程序。3.如申请专利范围第1项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含化学去除程序。4.如申请专利范围第3项之回收矽晶圆的方法,其中化学去除程序的进行系使用硷金属的氢氧化物及/或硷金属的碳酸盐。5.如申请专利范围第1项之回收矽晶圆的方法,其中在去膜程序与抛光程序之间,包含对矽晶圆化学处理的浸泡程序及于150-300℃下对矽晶圆加热20分钟至5小时及去除矽晶圆的表面部位之加热/去除程序。6.如申请专利范围第5项之回收矽晶圆的方法,其中化学处理液定义为:过氧化氢水溶液;过氧化氢、氨水溶液及水的混合溶液;过氧化氢、氢氯酸及水的混合溶液;硷金属的氢氧化物水溶液;或硷金属的碳酸盐水溶液。7.如申请专利范围第5项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含机械去除程序。8.如申请专利范围第5项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含化学去除程序。9.如申请专利范围第8项之回收矽晶圆的方法,其中化学去除程序的进行系使用硷金属的氢氧化物及/或硷金属的碳酸盐。10.如申请专利范围第6项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含机械去除程序。11.如申请专利范围第6项之回收矽晶圆的方法,其中加热/去除程序包含化学去除程序。12.如申请专利范围第11项之回收矽晶圆的方法,其中化学去除程序的进行系使用硷金属的氢氧化物及/或硷金属的碳酸盐。13.如申请专利范围第12项之回收矽晶圆的方法,其中硷金属的氢氧化物及/或碳酸盐系选自氢氧化钾、碳酸钾、氢氧化钠、碳酸钠及第四级烷基铵的氢氧化物所组成的群组。图式简单说明:图1显示变化加热温度时,P类型/N类型矽晶圆的比阻抗(R/R)改变率的图;图2A显示当以含有添加Cu的抛光液抛光的P类型矽晶圆在加热时,比阻抗(R/R)改变率随时间变化的图;图2B为其局部放大图;图3显示以含有添加Cu的抛光液抛光的P类型矽晶圆于250℃下加热2小时又30分钟后,以不同清洁液清洁后矽晶圆中Cu浓度的图;图4显示以含有添加Cu的抛光液抛光的P类型矽晶圆浸泡在不同的处理液体中,矽晶圆的比阻抗(R/R)改变率随时间的变化图;图5显示当晶圆在以不同的处理液体中浸泡后加热,Cu自晶圆内部移动至上表面的浓度;以及图6显示矽晶圆的回收程序。 |
