一种可重复使用的控片其使用方法

摘要

本发明提供一种可重复使用(reusable)的控片(monitor wafer)及其使用方法。该控片为一包含有复数个晶格原生坑洞(crystal original pits)矽晶片(silicon wafer)。该控片系用于一化学气相沈积(chemical vapor deposition，CVD)制程中用来监控以及量测在该CVD制程中所产生的不良粒子(particle)数量。本发明之方法是先于该控片表面形成一矽氧层，接着于该控片表面进行一清洗制程。然后于该矽氧层表面形成一薄膜层，并进行一量测程序，以量测该控片之薄膜层表面的不良粒子数量。最后去除该控片表面之薄膜层以及该矽氧层，并利用另一清洗制程来清洗该控片表面，藉以达到重复使用该控片的目的。该矽氧层可避免该控片于重复使用的过程中所产生或原本的晶格原生坑洞现象影响该控片的不良粒子量测结果。

主权项

1.一种可重复使用的控片其使用方法,该控片系于一薄膜沉积(thin film deposition)制程中用来监控以及量测在该薄膜沉积制程中所产生的微颗粒(particle)数量,其上包含有复数个晶格原生坑洞(crystaloriginal pits, cop),该方法包含有下列步骤:于该控片表面形成一厚度系小于500埃(angstrom, )之矽氧层(silicon oxide layer);进行一第一清洗制程;进行该薄膜沉积制程,于该矽氧层表面形成一薄膜层;进行一量测程序,量测该控片之薄膜层表面的微粒数量;去除该控片表面之薄膜层;去除该控片表面之矽氧层;以及进行一第二清洗制程;其中将该矽氧层的厚度控制在小于500埃(angstrom,)可有效避免该晶格原生坑洞现(cop)象影响该控片表面于该量测程序中的微颗粒量测(particlemeasurement)结果。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该控片系为一矽晶片(silicon wafer)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽氧层系利用一高温热氧化(thermal oxidation)制程氧化该矽晶片表面所形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽氧层的厚度介于60~300之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽氧层系利用一化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)所形成的。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该薄膜沉积制程系为一化学气相沈积(CVD)制程。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该薄膜层系为一多晶矽(poly silicon)、矽化钨(tungsten silicide, WSix)、氮化钛(titanium nitride, TiN)、钨(tungsten, W)、矽化钛(titanium silicide, TiSi)、铝(Al)或铜(Cu)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该控片表面之矽氧层系利用一高浓度之酸液来加以去除的。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该酸液系为49%(w/w)的氢氟酸(hydrofluoric acid, HF)溶液。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一清洗制程以及该第二清洗制程的清洗溶液皆系包含有一标准清洗溶液(SC-1)。图式简单说明:图一至图四为习知利用一控片进行表面不良粒子量测的方法的示意图。图五(a)至(d)为本发明在控片上分别形成不同厚度二氧化矽层时晶格原生坑洞所产生的变化的示意图。图六至图十一为本发明一种可重复使用的控片及其使用方法的示意图。