发明名称 导光柱之改良结构
摘要 一种导光柱之改良结构,包括:导光柱本体、反射层及反光凹陷部等部份,其中该导光柱本体系以导光材质制成,该反射层则系以一体成型或涂布方式设于该导光柱本体之周缘并呈弧形延伸,而复数反光凹陷部则系分别设于该反射层内部之横切槽,利用该复数横切槽于反射层内形成复数凹陷之反射面,以将导光柱本体内由二端点光源导入且沿轴向传导之光线作一横或斜向反射,以使部份光线沿导光柱本体周缘均匀向外扩散,藉以达到增加亮度及均匀扩散之效果。
申请公布号 TWM281185 申请公布日期 2005.11.21
申请号 TW094213522 申请日期 2005.08.08
申请人 蔡镇州 发明人 蔡镇州
分类号 G02B6/00;F21V8/00 主分类号 G02B6/00
代理机构 代理人 罗行 台北市信义区东兴路37号9楼;侯庆辰 台北市信义区东兴路37号9楼
主权项 1.一种导光柱之改良结构,包括: 一导光柱本体,系以导光效率极佳之材质制成,以 利于光线传导; 一反射层,设于前述导光柱本体之周缘呈弧形延伸 ; 复数反光凹陷部,设于该导光柱本体周缘之反射层 部位内部,藉以使反射层内形成复数凹陷之反射面 ,以使导光柱本体内沿轴向传导之光线可产生其它 方向之反射,达到均匀扩散之效果。 2.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反射层之分布系自35度至45度之间。 3.如申请专利范围第2项所述之导光柱之改良结构, 其中该反射层之分布以45度为最佳。 4.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反光凹陷部系复数由中央向二旁侧渐浅之 方形横切槽。 5.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反光凹陷部系复数由中央向二旁侧渐浅之 弧形横切槽。 6.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反光凹陷部系复数等高之方形横切槽。 7.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反光凹陷部系复数等高之弧形横切槽。 8.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反射层系一体成型于该导光柱内。 9.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构, 其中该反射层系一喷涂于该光柱表面。 10.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构 ,其中该反射层可喷涂充满该反光凹陷部。 11.如申请专利范围第1项所述之导光柱之改良结构 ,其中该导光柱之材质系选自光纤、压克力之一。 图式简单说明: 第一图系本创作第一实施例之第一实施态样构造 图。 第二图系本创作第一实施例之第二实施态样构造 图。 第三图系本创作第一实施例之第三实施态样构造 图。 第四图系本创作第一实施例之第四实施态样构造 图。 第五图系本创作第一实施例之第五实施态样构造 图。 第六图系本创作第一实施例之横向剖视图。 第七图系本创作第二实施例之第一实施态样构造 图。 第八图系本创作第二实施例之第二实施态样构造 图。 第九图系本创作第二实施例之第三实施态样构造 图。 第十图系本创作第二实施例之第四实施态样构造 图。 第十一图系本创作第二实施例之第五实施态样构 造图。 第十二图系本创作第二实施例之横向剖视图。 第十三图系本创作应用实施例图(一)。 第十四图系本创作应用实施例图(二)。 第十五图系本创作应用实施例图(三)。 第十六图系本创作应用实施例图(四)。 第十七图系本创作应用实施例图(五)。 第十八图系本创作应用实施例图(六)。 第十九图系本创作应用实施例图(七)。
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