发明名称 喷孔片之制造方法
摘要 一种喷孔片之制造方法,首先,提供一晶圆,再形成一可剥离层于该晶圆,接着,形成一光阻层于该可剥离层,进行一曝光显影步骤,使该光阻层形成为复数个栓柱,再以溅镀方式在该显露之可剥离层与该些栓柱上形成一含钛金属层,最后,移除该些栓柱,使得该含钛金属层具有复数个喷孔片开孔,所制作出之喷孔片具有性质安定且其孔径可准确且一致地微小化。
申请公布号 TWI244122 申请公布日期 2005.11.21
申请号 TW094108262 申请日期 2005.03.17
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕达 发明人 王俊恒;赵永清;刘安鸿
分类号 H01L21/027;C23C14/34 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 1.一种喷孔片之制造方法,该喷孔片系具有一第一 厚度,该制造方法系包含: 提供一晶圆,其系具有一表面; 形成一可剥离层于该晶圆之该表面; 形成一光阻层于该可剥离层,该光阻层系具有一第 二厚度,该第二厚度系大于该第一厚度; 曝光显影该光阻层,以使该光阻层形成为复数个栓 柱; 以溅镀方式形成一含钛金属层于该显露之可剥离 层与该些栓柱上;及 移除该些栓柱,以使该含钛金属层具有复数个喷孔 片开孔。 2.如申请专利范围第1项所述之喷孔片之制造方法, 其中该可剥离层系为光阻材料。 3.如申请专利范围第1项所述之喷孔片之制造方法, 其中该含钛金属层之厚度系介于25~50微米。 4.如申请专利范围第1项所述之喷孔片之制造方法, 其中该些喷孔片开孔之孔径系介于3~5微米。 5.如申请专利范围第1项所述之喷孔片之制造方法, 其中该含钛金属层系为纯钛或钛合金。 6.如申请专利范围第1项所述之喷孔片之制造方法, 其另包含有一晶圆切割步骤。 7.如申请专利范围第6项所述之喷孔片之制造方法, 其另包含有:移除该可剥离层,使得该含钛金属层 由该晶圆剥离。 图式简单说明: 第1图:依据本发明之一具体实施例,一喷孔片之截 面图。 第2A至2E图:依据本发明之一具体实施例,该喷孔片 在制造流程中之示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号