| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底,于该基底上依序形成一介电层、一导 体层与一罩幕层; 图案化该罩幕层、该导体层与该介电层,以形成暴 露出该基底之多数个第一开口; 于各该些第一开口底部之该基底中形成一埋入式 位元线; 于该基底上形成一隔离层于该些第一开口; 移除部分该隔离层,并以剩余之该隔离层为罩幕以 形成多数个第二开口; 移除该罩幕层与覆盖该罩幕层之该隔离层; 于该基底上依序形成一穿隧介电层、一电荷陷入 层与一阻挡介电层,共形的覆盖该些第二开口、该 隔离层与该导体层; 于该些第二开口中填入一材料层; 移除未被该材料层覆盖之部分该穿隧介电层、该 电荷陷入层与该阻挡介电层; 移除该材料层;以及 于该基底上形成一字元线。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该隔离层的形成方法包括进行一高 密度电浆化学气相沈积制程。 3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该隔离层之材质包括氧化矽、氮化 矽或氮氧化矽。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除部分该隔离层后,更包括于该 罩幕层上保留多数个角型隔离层。 5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中各该角型隔离层底部宽度小于位于 其下方之该罩幕层之宽度。 6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中形成该些第二开口的方法包括进行 一蚀刻制程。 7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽。 8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该介电层之材质包括氧化矽。 9.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该导体层与该罩幕层的形成方法包 括化学气相沈积法。 10.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于各该第一开口底部之该基底中形 成该埋入式位元线的方法包括进行一离子植入步 骤。 11.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除该罩幕层与覆盖该罩幕层之该 隔离层的方法包括进行一蚀刻制程或一剥离(lift off)制程。 12.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该些第二开口中填入该材料层的 方法包括利用一旋转涂布法。 13.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该材料层的材料包括高分子材料或 光阻材料。 14.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除未被该材料层覆盖之部分该穿 隧介电层、该电荷陷入层与该阻挡介电层层的方 法包括进行一蚀刻制程。 15.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于移除该材料层的方法包括进行一 蚀刻制程。 16.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该字元线包括掺杂多晶矽层。 17.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该基底上形成该字元线的方法包 括进行一化学气相沈积制程。 18.一种非挥发性记忆体,包括: 一基底; 一介电层,配置于该基底上; 一导体层,配置于该介电层上; 一隔离层,配置于该基底上,且与该导体层以及该 介电层相邻; 一埋入式位元线,配置于该基底中,且位于该隔离 层下方; 一穿隧介电层,配置于该基底上以及该导体层与该 隔离层之侧壁; 一电荷陷入层,酉己置于该穿隧介电层上; 一阻挡介电层,配置于该电荷陷入层上;以及 一字元线,配置于该基底上,并与该埋入式位元线 彼此交错。 19.如申请专利范围第18项所述之非挥发性记忆体, 其中该隔离层的材质包括氧化矽、氮化矽或氮氧 化矽。 20.如申请专利范围第18项所述之非挥发性记忆体, 其中该字元线包括掺杂多晶矽层。 图式简单说明: 图1所绘示为习知非挥发性记忆体的剖面示意图。 图2A至图2I所绘示为依照本发明较佳实施例之非挥 发性记忆体的制造方法的流程剖面图。 |
