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发明名称 High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system
摘要
申请公布号 IL143992(A) 申请公布日期 2005.11.20
申请号 IL19990143992 申请日期 1999.12.28
申请人 LAM RESEARCH CORPORATION 发明人 LINDA MARQUEZ
分类号 H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/00 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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