| 摘要 |
Dans le domaine d'électronique se develope éxtrement vite la partie appel ée optoélectronique. Dans leurs éléments de base l'important partie occupe très bien connue déjà SLED(Super Light Emitted Diodes)( p. I). Il s'agit des éléments semi-conducteurs avec PN passage de InGaN (Indium Gallium Nitrite diodes) mis dans le corps hermétique. Si on applique courant dans la sens"droit" il donne l'émission des ondes quantiques qui l'oeil de l'homme accepte comme lumière par exemple blanche. Dans la présente invention il s'agit d'amélioration du fonctionnement de SLE D. Les SLED's connues jusqu'à maintenant ont une grande imperfection. C'est le ur diagramme de la diffusion (p. II) de la lumière. Elle occupe une partie peti te dans l'espace autour. La lumière se diffuse dans un petit angle stéréométrique surtout de front, devons SLED(max.45.degree.).Si on change l'angle de vue par rappor t de la direction frontale, l'intensité de la lumière diminue et presque disparu si on regard de coté. Dans cette nouvelle construction, cette imperfection est complètement éliminée. Cette nouvelle génération SLED propose la diffusion de la lumière avec la force égale dans 99% de l'espace autour. Le diagramme (p. IV) de la diffusion reçois la forme d'une sphère. Cette petite étoile super brillante reçoit un diagramme comple t et parfait.
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