发明名称 METHOD FOR FORMING CAPACITOR BOTTOM ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING OXIDATION AND POLISHING
摘要
申请公布号 KR100529380(B1) 申请公布日期 2005.11.17
申请号 KR19990048711 申请日期 1999.11.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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