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Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen, durch das sich die Zykelfestigkeit entscheidend verbessern lässt. Ein Ausführungsbeispiel stellt sicher, dass die Speicherzellen vor einem erneuten Beschreiben stets gelöscht werden (Schritte S3, S4), während in einem zweiten Ausführungsbeispiel der Zellinhalt beim Überschreiben nur verändert wird, wenn dies aufgrund eines sich ändernden Bitzustands wirklich nötig ist.
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