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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein besonders genaues Verfahren zum Bilden eines Strukturgrößen-Messwertes anzugeben (Dx,k; Dy,k), der die Strukturgröße einer auf einer Maske oder einem Substrat (30), insbesondere einem Halbleiter-Wafer, angeordneten Struktur (100) angibt. DOLLAR A Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gelöst, bei dem die Strukturgröße der Struktur (100) unter Bildung eines Hilfsmesswertes (Dx', Dy') gemessen wird, anhand einer Kalibrierstruktur (110), die zumindest zwei beabstandete Teilstrukturen (140) umfasst, ein Kalibriermesswert (Px', Py') ermittelt wird, in den zumindest die Messwertsumme der Breite (By') einer der beiden Teilstrukturen (140) und des Abstands (Ay') zwischen den beiden Teilstrukturen (140) eingeht, mit dem Kalibriermesswert (Px', Py') und einem vorgegebenen, sich auf die Kalibrierstruktur (110) beziehenden Kalibriervorgabewert (Px, Py) ein Kalibrierfaktor (C, Cx, Cy) bestimmt wird und der Hilfsmesswert (Dx', Dy') mit dem Kalibrierfaktor (C, Cx, Cy) unter Bildung des Strukturgrößen-Messwertes (Dx,k; Dy,k) korrigiert wird.
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