Rückwärtsleitende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Rückwärtsleitende Halbleitervorrichtung, in der ein Isolierschicht-Bipolartransistor und eine freilaufende Diode mit einer ausgezeichneten Verzögerungscharakteristik monolithisch auf einem Substrat (1) ausgebildet sind, wobei die freilaufende Diode Folgendes enthält: eine Basisschicht (2) eines zweiten Leitungstyps zur Bildung des Isolierschicht-Bipolartransistors, eine Basisschicht (1a) eines ersten Leitungstyps zur Bildung des Isolierschicht-Bipolartransistors, eine Anodenelektrode, die eine Emitterelektrode (7) ist, die eine Emitterschicht (8) des ersten Leitungstyps und die Basisschicht (2) des zweiten Leitungstyps bedeckt, eine Kathodenelektrode, die eine Kollektorelektrode (6) ist, die die Basisschicht (1a) des ersten Leitungstyps und eine auf dem Teil der Basisschicht (1a) des ersten Leitungstyps ausgebildete Kollektorschicht (3) des zweiten Leitungstyps, wobei auf einen Teil der Basisschicht (1a) des ersten Leitungstyps ein Kurzlebensdauer-Gebiet (5) ausgebildet ist.