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发明名称 REDUNDANCY CIRCUIT FOR NAND FLASH MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050108500(A) 申请公布日期 2005.11.17
申请号 KR20040033279 申请日期 2004.05.12
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JUNG, MIN JOONG
分类号 G11C29/00;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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