Schmelzsicherungsanordnung und Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schmelzsicherungsanordnung mit mehreren, auf einer Unterlage (51, 53) gebildeten Schmelzsicherungen (55), auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines zugehörigen Halbleiterbauelements. DOLLAR A Erfindungsgemäß werden zwischen den Schmelzsicherungen Schmelzsicherungsisolationswände (IW) gebildet, die jeweils ein unteres und ein oberes Schmelzsicherungsisolationsmuster (57W, 59W) beinhalten. DOLLAR A Verwendung z. B. für Schmelzsicherungsanordnungen in Halbleiterspeicherbauelementen.