发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Resistmaske für die Strukturierung von Halbleitersubstraten
摘要
申请公布号 DE10307523(B4) 申请公布日期 2005.11.17
申请号 DE20031007523 申请日期 2003.02.21
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 WUNNICKE, ODO;WETZIG, LUTZ;HERMSDORF, NADJA;BELLMANN, CORNELIA;GRUNDKE, KARINA;STAMM, MANFRED
分类号 G03F7/20;G03F7/30;G03F7/40;G03F9/00;(IPC1-7):G03F7/30 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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