发明名称 Speicherzelle zum Speichern einer Information, Speicherschaltung sowie Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle
摘要 Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle zum Bereitstellen einer Information, mit einem Speicherelement, das ein PMC-Widerstandsbauelement (4) mit einem Festkörperelektrolytmaterial (15) aufweist, wobei das Festkörperelektrolytmaterial (15) in einen ersten Zustand mit einem hohen elektrischen Widerstand und in einen zweiten Zustand mit einem niedrigen elektrischen Widerstand versetzbar ist, wobei das Speicherelement ein Widerstandselement (5) aufweist, das so mit dem PMC-Widerstandsbauelement (4) verschaltet ist, um den Gesamtwiderstand des Speicherelementes (1) im ersten Zustand zu reduzieren.
申请公布号 DE102004018715(B3) 申请公布日期 2005.11.17
申请号 DE200410018715 申请日期 2004.04.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SYMANCZYK, RALF
分类号 G11C11/00;G11C16/00;H01L45/00;(IPC1-7):G11C16/00 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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