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经营范围
发明名称
A method for manufacturing a semiconductor device using a shallow trench isolation
摘要
申请公布号
KR100529607(B1)
申请公布日期
2005.11.17
申请号
KR20030077927
申请日期
2003.11.05
申请人
发明人
分类号
H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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