| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines MOSFET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4232820(B4) |
申请公布日期 |
2005.11.17 |
| 申请号 |
DE19924232820 |
申请日期 |
1992.09.30 |
| 申请人 |
LG SEMICON CO. LTD., CHEONGJU |
发明人 |
JANG, SEONG JIN |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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