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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines planaren Spacers, eines zugehörigen Bipolartransistors und einer zugehörigen BiCMOS-Schaltungsanordnung, wobei nach dem Ausbilden einer Opfermaske (2) auf einem Trägersubstrat (1) eine erste und zweite Spacerschicht (3, 4) ausgebildet wird. Zum Erzeugen von Hilfs-Spacern (4S) aus der zweiten Spacerschicht (4) wird ein erstes anisotropes Ätzverfahren durchgeführt. Anschließend wird unter Verwendung der Hilfs-Spacer (4S) ein zweites anisotropes Ätzen zum Erzeugen der planaren Spacer (PS) durchgeführt. Auf diese Weise kann die Höhe des resultierenden planaren Spacers (PS) frei gewählt werden, wobei die Planarität des Spacers eine weitere Prozessführung stark vereinfacht. Dadurch lassen sich Bauelemente mit verbesserten elektrischen Eigenschaften realisieren.
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