Verfahren zum Abscheiden von Karbidschichten hochschmelzender Metalle

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus Karbiden mindestens eines hochschmelzenden Metalls (3) auf mindestens einem Objekt (8) mittels Hochrate-Elektronenstrahlbedampfung in einer Vakuumkammer (1), wobei in der Vakuumkammer (1) durch Einlass eines Reaktivgases eine kohlenstoffhaltige Atmosphäre erzeugt wird; das hochschmelzende Metall (3) mittels eines Elektronenstrahls (5) verdampft wird; das Abscheiden von einem Plasma unterstützt wird, wobei das Plasma mittels diffuser Bogenentladung auf der Oberfläche des zu verdampfenden hochschmelzenden Metalls (3) erzeugt wird; die Beschichtungsrate mindestens 20 nm/s beträgt und die Objekttemperatur während des Abscheidens zwischen 50 DEG C und 500 DEG C gehalten wird.