发明名称 利用静态随机存取记忆体降低半导体装置预烧的方法与设备
摘要 依据本发明之各种实施例,装备快取记忆体之半导体装置设有加强之错误侦测逻辑,用以侦测快取记忆体之一区域内之一第一位置独立之错误,且如决定该错误为与同一区关联之第二连续错误,则防止进一步使用该区域。
申请公布号 TW200537285 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW093140602 申请日期 2004.12.24
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 布雷 波崔特;边 伊奔;希 雪利;卡罗 史考芬地
分类号 G06F11/07 主分类号 G06F11/07
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国