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发明名称
利用静态随机存取记忆体降低半导体装置预烧的方法与设备
摘要
依据本发明之各种实施例,装备快取记忆体之半导体装置设有加强之错误侦测逻辑,用以侦测快取记忆体之一区域内之一第一位置独立之错误,且如决定该错误为与同一区关联之第二连续错误,则防止进一步使用该区域。
申请公布号
TW200537285
申请公布日期
2005.11.16
申请号
TW093140602
申请日期
2004.12.24
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
布雷 波崔特;边 伊奔;希 雪利;卡罗 史考芬地
分类号
G06F11/07
主分类号
G06F11/07
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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