发明名称 绝缘膜形成方法、绝缘膜形成装置及电浆膜形成装置
摘要 一绝缘膜(101)是藉由一电浆膜形成装置(1a)所形成,该装置包含具有一电磁波入射面F的一真空腔(2)、于该真空腔(2)中形成的第一气体注射洞(42),以及于该真空腔(2)中形成的第二气体注射洞(52),该第二气体注射洞(52)较该第一气体注射洞(42)与该电磁波入射面F之距离为远。举例而言,将一第一气体系从一距离该电磁波入射面F为小于10毫米的位置处引入,该真空腔(2)。包含一有机矽化合物的一第二气体是从一距离该电磁波入射面F等于或大于10毫米的位置处引入该真空腔(2)。
申请公布号 TW200537695 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW094107570 申请日期 2005.03.11
申请人 液晶先端技术开发中心股份有限公司 发明人 佐佐木厚;东和文;井出哲也;中田行彦
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 日本