| 摘要 |
半导体基板(10)之主表面形成光二极体(20a及20b)。光二极体(20a)包括P^＋型表面层(22a)及电荷聚积部(21a)，且光二极体(20b)包括P^＋型表面层(22b)及电荷聚积部(21b)。光二极体(20a及20b)系由具有STI构造之元件隔离部(33a)予以隔开。构成光二极体(20a及20b)之电荷聚积部(21a及21b)之底部系位于比元件隔离部(33a)之底部离半导体基板(10)之主表面更深的位置。因此，能提供一种能防止混色、电荷聚积部之容量大、并且灵敏度及饱和特性极佳之固态摄像装置。 |
