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发明名称
反及闸快闪记忆元件
摘要
揭露一种NAND快闪记忆体装置。依据本发明,对接分接头系以下列方式所形成:将一多晶矽层及一金属矽化物层经由金属接点连接至复数个给定点(包括一NAND快闪记忆体装置之DSL及SSL的末端)。因此,可减少该DSL及SSL之电阻,以及因而可减少该DSL及SSL之下载时间。
申请公布号
TW200537508
申请公布日期
2005.11.16
申请号
TW093138587
申请日期
2004.12.13
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
朴成基
分类号
G11C16/08
主分类号
G11C16/08
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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