发明名称 反及闸快闪记忆元件
摘要 揭露一种NAND快闪记忆体装置。依据本发明,对接分接头系以下列方式所形成:将一多晶矽层及一金属矽化物层经由金属接点连接至复数个给定点(包括一NAND快闪记忆体装置之DSL及SSL的末端)。因此,可减少该DSL及SSL之电阻,以及因而可减少该DSL及SSL之下载时间。
申请公布号 TW200537508 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW093138587 申请日期 2004.12.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 朴成基
分类号 G11C16/08 主分类号 G11C16/08
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国