发明名称 用于原位薄膜堆积制程之方法与装置
摘要 一种用于处理薄膜堆积之丛集工具,处理室及方法的实施例被提供。在一实施例中,一种用于一薄膜堆积的矽层及金属层的原位蚀刻之方法被提供,其包括的步骤为,在一处理室中蚀刻该薄膜堆积的一上金属层用以露出一底下的矽层的一部分,及在无需将该基材从该处理室中取出下在该矽层上蚀刻出一沟渠。本发明对于平板显示器的薄膜电晶体的制造特别有用。
申请公布号 TW200537586 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW094110923 申请日期 2005.04.06
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 莫利华特R MERRY, WALTER R.;上泉元;怀特约翰M WHITE, JOHN M.
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 美国
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