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发明名称
具有减低1/F杂讯之互补型金属氧化半导体影像感测器
摘要
本发明提供一种包括复数个像素电路之CMOS彩像感应器。每一像素电路包括复数个电晶体。该影像感应器包括一用于控制该等复数个像素电路之运作的控制器,其中该控制器被组态成使每一像素电路中该等电晶体中之至少一者置于一累积模式,并接着自该累积模式切换至一张反转模式,从而降低该像素电路的1/f杂讯。
申请公布号
TW200537919
申请公布日期
2005.11.16
申请号
TW093141403
申请日期
2004.12.30
申请人
安捷伦科技公司
发明人
博伊德 A S 福勒
分类号
H04N3/14
主分类号
H04N3/14
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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