发明名称 微影评估方法、微影方法及记忆媒体
摘要 本发明提供一种微影评估方法,其系即使于基板未由均一材质构成之情形时,亦可正确评估近接效应者。微影评估方法包含下述之步骤:准备基板之步骤,该基板具备有矽基板1、矽基板11上之氧化矽膜12、以及包含氧化矽膜12中之Cu配线层13、14的配线构造(步骤S1);将该基板区分为复数个评估对象区域之步骤(步骤S2);以及比较各评估对象区域下之配线层数与临界配线层数,而评估各评估对象区域中之近接效应的步骤(步骤S3)。
申请公布号 TW200537605 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW093133673 申请日期 2004.11.04
申请人 东芝股份有限公司 发明人 俵山和雄;马越俊幸
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本