| 摘要 |
一种动态随机存取记忆体(DRAM)的更新方法和系统，其更新频率系正比于至少一取样单元中的电流漏损(current leakage)。所选取的取样单元，代表DRAM阵列中等效的漏损状况，并追踪记忆单元漏损率。漏损率不论区域性或整体性，和制程差异、应用层面的影响、电压变动以及系统温度有关。随着DRAM中电流漏损的增加或减少，更新周期重复频率亦随着增加或减少。藉由调整更新频率，半导体因降低不必要的更新周期而节省了电力耗损，不耗费电力地提供了延迟的更新周期，以及在不需要额外的设定与最佳化更新频率校正之下降低了成本。 |
