发明名称 多埠记忆体装置
摘要 依据本发明之一种多埠记忆体装置,其能在一总体资料汇流排线上一初始资料传送时防止第一高资料失误,上述多埠记忆体装置包括:一总体资料汇流排线,包含有复数条汇流排线;复数个资料传送及接收单元,包括复数个发送器/接收器,其使用一电流感测,以交换资料于上述总体资料汇流排线中,其中在上述资料传送及接收单元中之接收器包括复数个用以将一电压位准分压之电阻器;以及一可变参考电压产生器,用以藉由控制在上述接收器中之电阻器的电阻值来产生参考电压位准,以做为一接收器参考电压,其中上述可变参考电压产生器在一主动模式中产生一第一参考电压位准及在一待机模式中产生一第二参考电压位准,其中上述第一参考电压位准高于上述第二参考电压位准。
申请公布号 TW200537521 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW093118310 申请日期 2004.06.24
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金庚焕;李日豪;李在真
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国