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发明名称
半导体装置介电层及其制造方法
摘要
本发明揭示一种半导体装置,其包括一矽酸盐介面层及一覆于该矽酸盐介面层上的高k(介电系数)介电层。该高k介电层包括金属合金氧化物。
申请公布号
TW200537621
申请公布日期
2005.11.16
申请号
TW094102747
申请日期
2005.01.28
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
李锺镐;李来寅
分类号
H01L21/336;H01L29/76
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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