半导体光检出元件及其制造方法

摘要

本发明之半导体光检出元件(PD1)具备多层构造体(LS1)和对射入光光学性地透明之玻璃基板(1)。多层构造体包含积层的蚀刻停止层(2)、n型高浓度载体(carrier)层(3)、n型光吸收层(5)及n型盖(cap)层(7)。于多层构造体的第1主面(101)附近形成有受光区域(9)，于第1主面上设有第1电极(21)。于第2主面(102)上设有第2电极(27)及第3电极(31)。于第1主面上形成有覆盖受光区域及第1电极的膜(10)。于该膜的表面(10a)固定着玻璃基板(1)。