成膜方法及成膜装置

摘要

本发明系例如在形成作为闸极绝缘膜上之闸极所用之多晶矽膜之际，于后续工序在对上述多晶矽膜添加导电性杂质元素时，为防止导电性杂质元素向多晶矽膜之厚度方向穿透，形成含有球状结晶之集合体之多晶矽膜。将被处理体加热至例如580℃而形成非晶矽膜，其次藉由将上述被处理体加热至例如620℃，将上述非晶矽膜多晶化以形成多晶矽膜。该种多晶矽膜由球状结晶之集合体或梭状结晶和球状结晶之混合体构成，由于微晶粒子之粒界朝向各种方向，于后续工序向该多晶矽膜添加杂质元素时，导电性杂质元素在上述粒界被捕获，可防止该杂质元素向多晶矽膜之厚度方向穿透。