非挥发性记忆体、非挥发性记忆体阵列及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，由基底、多个堆叠闸极结构、间隙壁、多个控制闸极、多个浮置闸极、闸间介电层、穿隧介电层与源极区／汲极区所构成。各堆叠闸极结构从基底起依序为选择闸极介电层、选择闸极与顶盖层。间隙壁位于堆叠闸极结构侧壁。控制闸极位于基底上，填满堆叠闸极结构之间的间隙，且彼此连接在一起。浮置闸极位于堆叠闸极结构之间，且位于控制闸极与基底之间。闸间介电层位于控制闸极与浮置闸极之间。穿隧介电层位于浮置闸极与基底之间。源极区／汲极区分别位于最外侧之两堆叠闸极结构一侧之基底中。