高Q値之积体电路电感器HIGH Q FACTOR INTEGRATED CIRCUIT INDUCTOR

摘要

本发明揭示一种电感器及形成电感器的方法，该方法包含：(a)提供一半导体基板(substrate)；(b)在该基板的一顶面上形成一介电层(dielectric layer)；(c)在该介电层中形成一下方沟渠(trench)；(d)在该介电层的一顶面上形成一阻抗层(resist layer)；(e)在该阻抗层中形成一上方沟渠，该上方沟渠和该下方沟渠对齐，该上方沟渠的一底部对该下方沟渠为开启；及(f)以一导体完全填充该下方沟渠及至少部分填充该上方沟渠以形成该电感器。该电感器包含：一顶面、一底面及侧壁、该电感器的一下方部分延伸一固定距离至形成于一半导体基板上之一介电层、及一上方部分延伸至该介电层之上；以及电性地接触该电感器的装置。