半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括具有在半导体衬底上的下电极、上电极和下电极与上电极之间的电容绝缘薄膜的电容器，利用化学气相沉积方法在半导体衬底上的下电极上形成电容绝缘薄膜，所述方法包括：下电极形成步骤，在半导体上形成下电极；两阶段沉积步骤，包括：第一阶段，将包含特定金属的原料气体导入到放置半导体衬底的反应器中；以及第二阶段，随后将氧化气体导入到反应器中，通过重复两阶段沉积步骤两次或更多次，在半导体衬底上的下电极上形成金属氧化物薄膜，由此形成电容绝缘薄膜，而且将金属氧化物薄膜的沉积温度设置在原料气体的反应在两阶段沉积步骤的一个循环中不能自我限制的温度范围内；以及上电极形成步骤，在电容绝缘薄膜上形成上电极。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括利用化学气相沉积方法在半导体衬底上形成的金属氧化物薄膜，所述方法包括：两阶段沉积步骤，包括：第一阶段，用于将包含特定金属的原料气体导入到放置了所述半导体衬底的反应器中；以及第二阶段，用于随后将氧化气体导入到所述反应器中，以及其中，通过重复所述两阶段沉积步骤两次或更多次，在所述半导体衬底上形成作为所述特定金属的氧化物的所述金属氧化物薄膜，而且将所述金属氧化物薄膜的沉积温度设置在所述原料气体的反应在所述两阶段沉积步骤的一个循环中不能自我限制的温度范围内。