薄膜结构体的制造方法

摘要

本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol％而小于4mol％的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。

主权项

1.一种薄膜结构体的制造方法，所述薄膜结构体具有基板，以及在所说基板的上方与所说基板隔着间隔形成的薄膜层，其特征是，包括：在所说基板上，由以大于3mol％而小于4mol％的浓度值混入磷的氧化硅膜形成腐蚀膜的工序；将所说腐蚀膜有选择地除去的工序；在所说腐蚀膜的残留部分上以及所说基板上形成所说薄膜层的工序；将所说腐蚀膜的所说残留部分除去的工序。