| 发明名称 | 硅片及硅单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm<SUP>2</SUP>以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1227395C | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN01800727.9 | 申请日期 | 2001.03.27 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 星亮二;布施川泉;太田友彦;前田茂丸 |
| 分类号 | C30B29/06 | 主分类号 | C30B29/06 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种硅片，其使用佐克拉斯基法，将在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒切割而得到，其特征为：使用粒子计数器计数粒子时，0.10μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||