氮化镓系发光器件

摘要

本发明是使用了GaN系半导体的发光器件。发光器件具有n型包层(124)、由n型第1势垒层(126)、阱层(128)和第2势垒层(130)构成的有源层(129)、p型阻挡层(132)、p型包层(134)。在p型阻挡层(132)的带隙能量Egb、第2势垒层(130)的带隙能量Eg2、第1势垒层(126)的带隙能量Eg1、n型及p型包层(124)、(134)的带隙能量Egc方面，通过使Egb＞Eg2＞Eg1≥Egc，能够有效地封闭载流子，增大发光强度。

主权项

1.一种氮化镓系发光器件，它具有：衬底；在上述衬底上形成的第1导电型的包层；在上述包层上形成的有源层；以及在上述有源层上形成的第2导电型包层，上述有源层具有由氮化镓系化合物半导体层构成的势垒层及阱层，其特征在于：上述有源层的上述势垒层具有被在上述第1导电型的包层侧形成的第1势垒层及上述阱层夹持的第2势垒层；在上述有源层与上述第2导电型的包层之间具有第2导电型的载流子阻挡层；上述载流子阻挡层的带隙Egb、第2势垒层的带隙Eg2、第1势垒层的带隙Eg1、包层的带隙Egc满足Egb＞Eg2＞Eg1≥Egc。