| 发明名称 | 氧化钇稳定氧化锆真空镀膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种氧化钇稳定氧化锆的真空镀膜材料及其制备方法，该材料的原料mol％为：氧化锆75～98，氧化钇2～25，添加适量的聚乙烯醇结合剂。其制备方法包括以下步骤：①以氧化锆和氧化钇粉料为原料，按选定的摩尔百分比称量原料，混合均匀后添加聚乙烯醇结合剂使粉料团聚，造粒成型；②对颗粒料进行预烧，预烧温度为1200℃；③然后在真空烧结炉中烧结，然后自然冷却降温至室温。本发明氧化钇稳定氧化锆真空镀膜材料解决传统氧化锆镀膜材料镀膜过程中的不稳定和折射率不均匀性问题，提高氧化锆薄膜的损伤阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN1696328A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200510026560.5 | 申请日期 | 2005.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 吴师岗;邵建达;易葵;范正修 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/24;B22F1/00;B22F9/00 | 主分类号 | C23C14/08 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种氧化钇稳定氧化锆的真空镀膜材料，其特征在于该材料的成分为：原料 mol％氧化锆 75～98氧化钇 2～25，聚乙烯醇结合剂 适量 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||